【摘 要】
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ZnGeP 2晶体在1~2.5μm有几个吸收峰,此波段的吸收峰主要是由于点缺陷V P、Ge Zn和V Zn引起的,这些光学吸收严重影响ZnGeP 2晶体在光参量振荡器中的应用性能。针对ZnGeP 2在
【机 构】
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中国科学院福建物质结构研究所,中国科学院大学
【基金项目】
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国家自然科学基金重大项目(51890862)
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ZnGeP 2晶体在1~2.5μm有几个吸收峰,此波段的吸收峰主要是由于点缺陷V P、Ge Zn和V Zn引起的,这些光学吸收严重影响ZnGeP 2晶体在光参量振荡器中的应用性能。针对ZnGeP 2在此波段的光学吸收,基于电子-原子核散射理论,通过理论计算模拟电子辐照来寻找合适的辐照条件,对布里奇曼法生长出的ZnGeP 2单晶分别进行退火热处理和电子辐照处理,并采用红外光谱仪和综合物理性能测量系统测试不同条件下ZnGeP 2晶体的红外吸收光谱、霍尔系数和载流子浓度。结果表明退火热处理能有效减少ZnGeP
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