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直拉硅单晶中掺入等价元素锗可以有效地抑制氧施主，提高硅片机械强度，改善氧沉淀的状况，研究了锗的最低有效浓度并探讨了其机理。
掺入杂质级等价元素锗的CZSi晶体性能研究
【摘 要】
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直拉硅单晶中掺入等价元素锗可以有效地抑制氧施主，提高硅片机械强度，改善氧沉淀的状况，研究了锗的最低有效浓度并探讨了其机理。
【机 构】
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河北工学院
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1994年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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