论文部分内容阅读
ＳｉＣ是一种具有宽禁带，高击穿场强，高饱和电子漂移速度和高热导率的半导体材料，ＳｉＣ微电子与光是电子器件的潜在军事用途尤为引人注目，ＳｉＣ器件最有希望成为替代Ｓｉ以及饱和ＧａＡｓ在内的Ⅲ－Ｖ族化合物器件在高温，高速，高功率以及强辐照环境下应用的新型半导体器件。
SiC材料,器件及其应用前景
【摘 要】
：
ＳｉＣ是一种具有宽禁带，高击穿场强，高饱和电子漂移速度和高热导率的半导体材料，ＳｉＣ微电子与光是电子器件的潜在军事用途尤为引人注目，ＳｉＣ器件最有希望成为替代Ｓｉ以及饱和ＧａＡｓ在内的Ⅲ－Ｖ族化合物器件
【机 构】
：
电子工业部电子科学研究院
【出 处】
：
微电子学
【发表日期】
：
1996年4期
其他文献
介绍了几种结构合理的超导／半导兼容材料的制作技术及其测试结果，重点讨论了超导体（ＹＢＣＯ）与半导体（Ｓｉ，ＣａＡｓ）间缓冲层的选取，并对这几种复合材料的性能作了较详细的分析。
本文介绍了一种硅双模预置分频器（÷４０／４２）的电路原理、电路设计、版图设计、工艺技术及研制结果。采用３μｍ设计规则的硅双极型ｐｎ结对通隔离工艺、薄层外延和泡发射极等ＥＣＬ高速电路制作
为满足红外遥感器的高精度定标和性能测试要求,设计了一种高均匀性和宽辐射动态范围的红外积分球辐射源。积分球辐射源采用碳纤维石英电热管作为红外辐射介质,工作波段覆盖3
在众多的电能获得方式中,利用热电效应无疑是一种能量转换效率最高的电能获得途径,这也使热电效应、燃料电池、太阳能光伏发电被称之为21世纪最具发展潜力的三种能源技术,通
2004年5月14日，中国人民大学信息资源管理学院主办的“2004’中国信息资源管理论坛”在中国人民大学逸夫会议中心举行，参加此次论坛的专家、学者分别来自信息产业部、国家档案