【摘 要】
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为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型.采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018;北京国联万众半导体科技有限公司,北京100300
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为了精确地表征高频GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的器件特性,提出了一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型.采用传输线理论,建立GaAs PHEMT的源-漏电压为0V情况下沟道的T型等效网络.以量化沟道电阻为中间项,推导出含有趋肤效应模型的拓扑结构并提出参数解析提取方法.结合趋肤效应的高频响应特征,从频率高于40 GHz的测试S参数中剥离10 GHz以下的非本征参数,然后从剥离之后的网络参数中提取趋肤效应模型参数值.采用总栅宽为4×25 μm GaAs PHEMT管芯用于模型和模型参数提取方法的验证.结果显示在2～110 GHz下,该模型的仿真结果与测试结果吻合较好.
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