亚阈值区相关论文
人工智能神经网络已成为当下信息处理技术领域的重要发展方向,相对于软件实现人工神经网络,硬件实现人工神经网络有可以大批量并行......
运用工作在亚阈值区的MOS管产生了一个温度系数良好的基准电压,同时在输出支路使用共源共栅结构,使该基准电压源的电源抑制比得到......
提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理 .分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显 ,......
推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压.该解析解考虑了任意深度情况下沟道中深度方向上电......
本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要......
从准二维泊松方程出发,结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论,建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型。由表面势方程及亚阈值电流......
本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理......
设计了一种低压、低功耗基准电压源电路.该电路采用工作在亚阈区的MOSFET与传统PNP晶体管相结合的方式,使得电路的输出基准电压与M......
在传统带隙基准电路的基础上,设计了一种带分段曲率补偿的带隙基准电压源。利用亚阈值区MOS管的漏电流与栅-源电压呈指数关系而产......
为了在宽温度范围内得到较低温漂系数的输出电压,设计了一种电压补偿模式结构的高精度基准电压源,采用栅源电压差分对作差的方式对......
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导......
提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型，模型的模拟结果和实验结果相吻合，该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。
A current-voltag......
本文讨论了亚阈值区域的电子输运特性和实验研究方法.首先描述一个用于亚阈值区域电荷输运的由分布参数表示的MOSFET普遍形式的四......
极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...
Two-dimensional analytical model of the very thin SOIMOSFET = Two-dimensionalanalyticodelin......
本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生......
设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出......
基于CSMC 0.6μm CMOS工艺设计了一种低温漂二阶曲率补偿基准源。它利用被偏置在亚阈值区的MOS管的源漏电流与栅源电压的指数关系,......
由于集成电路芯片设计普遍采用全局偏置技术，偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影响。本文利用MOS管工作在亚阈值区的偏置判......
相变存储器(phase-change memory，PCM)体积小，成本低，可直接写入数据而不需要将原来的数据删除，并且与CMOS工艺兼容，因为相变存储器的种......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源.利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出......
在分析了电池保护电路设计功耗要求的基础上，提出了三种降低功耗的方法，并推导了相应的公式：使用电路休眠技术，减少空闲时不必要的功耗......
介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器，采用0．13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现，芯片面积为37μm×......
结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的......
本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压，结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT（与绝对温度成正比）电压，提出了一种用于电流摸基准......
给出了一种在0．18μmCMOS工艺下应用于2．4GHz无线传感器网络（WSN）的低功耗低噪声放大器（LNA）的设计。为了满足低功耗需求，电路采用1V电压......
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基于 SMIC 0.18 μm CMOS工艺,采用分段曲率补偿技术设计了一种低温漂带隙基准电压源.利用工作在 亚阈值区的NM0S晶体管的漏电流......
普通的一阶补偿带隙基准因忽略了YBE的高阶非线性项，其温度系数一般在20×10^-6～30×10^-6／℃，不能满足高精度系统的设计要求，......
提出了一种对带隙基准电压进行多点曲率补偿的新思路，给出了它的设计原理、推导过程和一种实现电路．与传统的曲率校正方法不同，分布式......
为了适应轮胎气压监测系统（TPMS）的恶劣环境,提高TPMS的系统集成度,设计了一款适用于TPMS的新型高性能超低功耗信号接收器。该信号接......
本文报道了一种新颖的ＣＭＯＳ运算跨导放大器（ＯＴＡ），ＯＴＡ的设计核心ＭＯＳＦＥＴ工作在亚阈值区，当ＭＯＳＦＥＴ工作在亚阈值区时，其漏电流小于１００ｎＡ，所以，这种ＯＴＡ具有更小的功耗，这就肯定了......
提出一种适合心电信号（ECG）检测的OTA-C滤波器。为了达到低功耗、低截止频率、高直流增益、高阻带衰减、低谐波失真的目的,滤波器采......
基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模......
采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的，工作在亚阈区的纯MOS电压基准源．利用CSMC（华润......
介绍了一种基于亚阈区VGS和ΔVGS的CMOS基准电压源电路,电路不采用二极管和三极管.电路采用正负温度系数电流叠加的原理,可以产生......
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,本文采用MOS管工作在亚阈值区的技术设计了一种二阶曲率补偿带隙基准。Cadence仿真结果显示,在1.5 V电......
本文采用了CSMC 0.18um的标准CMOS工艺，设计了一种工作在亚阈值区的低功耗CMOS带隙基准源，本设计电路是由纯MOS管组成，不包含双极型晶......
为克服传统带隙基准源在温度性能上的缺陷,设计了一种低温度系数的带隙基准电路。该电路在传统电流模基准结构的基础上,引入一个工......
根据带隙基准电压源的原理，基于CSMC0．5μm工艺设计了一种高精度二阶曲率补偿带隙基准电压源。利用MOS管工作在亚闽值区时漏电流和栅......
针对亚阈区导电问题,基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,由半导体表面空间电荷区的不同物理状态出发,分析了能带......
便携式产品的发展推动了电子产品小型化,同时带动了小型电源的发展。作为电池中的佼佼者,锂离子电池以其体积小、质量轻、寿命长等......
