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运用含时密度泛函B3LYP方法6-31G（d）基组水平上,计算了二氧化硅一维纳米材料单链（1NL）、双链（2NL）以及含羟基单链（1NLW）、双链（2NLW）与尺寸相关的电子吸收光谱,并从电子结构和态密度角度对其进行分析。无羟基结构的紫外吸收光谱较强峰的频率随尺寸减小红移,含羟基结构随尺寸减小明显蓝移。分析表明羟基上的H与Si相互作用使分子未占据轨道能量明显升高,造成结构吸收光谱随尺寸变小蓝移,羟基的加成可以改变二氧化硅纳米结构的光学性质。紫外吸收光谱研究以及对羟基作用的确定对SiO2纳米材料的深入研究具