【摘 要】
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We diffused gold into Si wafers of good quality (Ln≥324μm) and obtained 6 samples with NAa = 7.94×1012 -6.96×1015cm-3. The minority carrier lifetime of eac
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We diffused gold into Si wafers of good quality (Ln≥324μm) and obtained 6 samples with NAa = 7.94×1012 -6.96×1015cm-3. The minority carrier lifetime of each sample was measured with the photovoltage method and compareed with the calculated value, showing that maximum deviation is 4 times between them.
We distributed the gold into Si wafers of good quality (Ln ≧ 324μm) and obtained 6 samples with NAa = 7.94 × 1012 -6.96 × 1015cm-3. The minority carrier lifetime of each sample was measured with the photovoltage method and compareed with the calculated value , showing that maximum deviation is 4 times between them.
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