MESFET相关论文
采用MESFET管芯行波放大电路和MMIC单片电路设计了0.8~18GHz幅相跟踪中功率放大器系列.该中功率放大器系列增益大于20dB,幅度一致......
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效......
介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道......
Cree在2011 IEEE国际微波论坛上演示了首个工业级卫星通信用C波段GaN HEMT MMIC大功率放大器。该产品具有引人注目的性能,超越了目......
用投影光刻法制出了在6千兆赫下最佳噪声系数为1.6分贝的砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)。推出了计算最佳噪声系数......
本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S+的快扩散和再分布不决定于S+或砷空位VAS......
本文介绍了无损和有损增益补偿网络的图解设计方法,讨论了运用这种方法设计微波晶体管放大器的优点。此法以使用在史密斯图上设置......
SiC材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性，这些特性决定了它在高温、大功率、高频和抗辐照......
设计了2.5Gb/s光纤通信用耗尽型GaAs MESFET定时判决电路.通过SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2.5GHz,判决电路传输速率达2.5Gb/s.......
随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非......
随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的......
针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材......
研究了4H-SiC MESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系.发现常温300K时,4H-SiC MESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;......
考虑4H-SiC常温下不完全离化和高饱和电子漂移速度的特点,采用载流子速度饱和理论和电荷控制理论, 结合双曲正切函数的描述方法,导......
文章提出一种Ｓｔａｔｚ ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法，并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区......
文章详细分析并讨论了应用于相位体制DRFM的ADC参数表征及测试方法.提出用相位非线性(PDNL和PINL)来描述相位体制ADC的静态性能,用......
采用自行研制的两只C波段5.2～5.8 GHz 4 W以上的GaAs MESFET功率管芯，通过设计适当的匹配网络、优化网络元件参数，结合工艺制作技术，实......
根据空基相控阵雷达的工作环境,对4H-SiC材料及SiC功率器件(SiC MESFET)的特点进行了分析.与GaAs器件相比,这种新型器件在空基相控......
本文根据加MESFET或BJT的三端口结构,解决了不同端口基准的[S]参数转换,为微波电路设计提供了一个有用的基本工具模块.......
提出了一种计算ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算，且作为非本征元件的函数。高效电路由集中元......
采用多节平调阻抗变换器技术制作5～10GHz15WGaAsMESFET功率放大器。阻抗变换器的长度设计为最高频率的1／4波长，实现宽频带内稳定的增......
介绍了SiC MESFET器件的技术和性能.用SiC材料制造的MESFET的射频功率密度达到4.6 W/mm,功率增加效率(PAE)达到65.7%,击穿电压超过......
在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率......
借助ISETCAD，对4H—SiCMESFET进行二维数值模拟，研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明，在直流特性上，由于表面陷阱......
本文运用电荷控制分析方法，提出了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ以电荷源为基本组厉元件的大信号非线性动态模型。该模型在了电荷不守恒问题以及ＤＣ与ＲＦ电流不一致性......
MESFET物理模型是电路模拟的基础,可以帮助设计者选择最佳的器件结构.本文提出一种改进的基于物理的GaAs MESFET饱和电流模型.由此......
介绍了以MESFET构成的微波放大器的2种稳定化方法;在栅漏间或栅源间插入RCL串联支路.分析了在这两种方法中,稳定化因子K以及电路增......
提出了一种新型的SiCOI MESFET器件结构,即介质槽隔离SiCOI MESFET.模拟结果表明,新型结构器件与常规平面SiCOI MESFET器件相比,击......
报告了4H-SiC MESFET的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制成单栅宽120 μm n沟道4H-SiC MESFE......
基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模......
基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件（SDD）实现了在安捷伦ADS软......
对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下......
采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法......
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm......
SiC金属．半导体场效应晶体管的工艺研制中，通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法，但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问......
提出了计算功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ小信号模型参数的一些改进方法，包括计算Ｈｅｓｓｅ矩阵本征值和本征向量，确定各元件对总误差的敏感度、目标函数的优化顺序和......
提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法.该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳......
提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOIMESFET器件结构与模型。使用ISE-TCAD二维器件......
旁栅效应是影响GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.本文研究了旁栅阈值电压Vth SG与旁栅距LSG的关系,发现Vth SG的大小与LSG成正比......
对于GaAs MESFET和以GaAs或InP为衬底的PHEMT的欧姆接触制备,虽均采用Au-Ge-Ni系统,但其合金条件却因材料特性各异而不同.......
通过设计与悬臂梁呈不同角度的沟道,对GaAs基金属半导体场效应晶体管（MESFET）的微加速度计的输出特性进行了初步测试研究。设计了GaA......
通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H—SiCMESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处......
对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测......
提出了一种改进的遗传算法，应用于提取GaAsMESFET小信号等效电路参数．改进的算法采用浮点编码连续突变，多种遗传操作合作运行，并应用子......
研究了4H—SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性．建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型，分析了雪崩碰撞离化效应、隧......
