【摘 要】
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2μm5μm波段GaSb基VCSEL对大气检测技术有着重要的应用,但制备技术的不成熟严重制约着GaSb基VCSEL的发展。刻蚀工艺中出现的下切效应就是器件制备中存在的突出问题。针对上
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金(11474038,61376045,11474036);总装预研究基金(61424050302162405002)资助
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2μm5μm波段GaSb基VCSEL对大气检测技术有着重要的应用,但制备技术的不成熟严重制约着GaSb基VCSEL的发展。刻蚀工艺中出现的下切效应就是器件制备中存在的突出问题。针对上述问题,选择三种不同成分的磷酸系刻蚀液进行了对比性刻蚀实验,并通过台阶仪、扫描电子显微镜（SEM）测试观察了刻蚀速率和表面形貌。实验分析表明,浓度配比为1 m L:1 m L:0.6 g:10 m L的H3PO4:H2O2:C4H6O6:H2O刻蚀液具有良好的腐蚀效果,消除了以往腐蚀过程中出现的下切效应,且垂直形貌好,未出现钻蚀现象,晶片表面平整且光滑,且保持稳定的刻蚀速率0.62μm/min,为激光器制备提供了良好的前期实验基础。
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