GaSb相关论文
基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系, 制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比, 同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电......
本文系统地研究了热致相变对射频磁控溅射的GaSb薄膜光学性质和微观结构的影响.发现在270℃左右具有连续无序网络结构的非晶GaSb薄......
介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)......
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料......
对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面......
研究了一种2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2μm的TM模式,反射镜具有大......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
利用分子束外延的方法在GaSb衬底上生长GaSb热光伏电池单元,制作了两种不同的1 cm×1 cm面积尺寸的热光伏电池单元,它们有着不同的......
在利用分子束外延(MBE)技术生长GaSb薄膜材料过程中,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实现了GaSb薄膜制备的实时监控.利用RHEED衍射......
主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP)。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中,通过......
运用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)框架下的第一性原理计算方法,研究了GaSb半导体中p型缺陷的电子结构和光学......
对Zn在N-GaSb晶片中的扩散过程进行了实验研究和分析。实验中采用“准密封”扩散方法,使用纯Zn和纯Sb作为扩散源,通过SIMS(二次离......
采用第一性原理方法,交换关联泛函采用局域密度近似,并对计算体系电子的库仑能进行了修正,即采用LDA+U的方法计算研究了Mn掺杂GaSb......
采用第一性原理方法,交换关联泛函采用局域密度近似,并对计算体系电子的库仑能进行了修正,即采用LDA+U的方法计算研究了Mn掺杂GaSb......
采用 LEC 方法研制出掺锌(100) GaSb 单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数 keff 约为 0.84±0.01,沿......
在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术生长了GaSb薄膜，并用原子力显微镜和XRD技术分析了其结构特征．其结果可为生长优质的大失配太阳能......
在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜.以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术......
在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜.以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术......
HgCdTe、QWIP和InAs／GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选。主要对比分析了HgCdTe和InAs／GaSbⅡ类超晶格红外探测器......
InAs／GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势，成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一......
为实现2μm低发散角激光,提出在Ga Sb基半导体激光器中引入布拉格反射波导,利用光子带隙效应替代传统的全反射进行光场限制。研究......
为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应......
为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应......
基于密度函数理论和广义梯度近似原理,计算了锑化镓（GaSb）体结构中的不同缺陷的形成能.计算结果表明,无论是在Ga-rich 晶体条件下还......
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的......
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的......
采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备，用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源，三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在（100）面GaSb和GaAs单晶衬底上......
通过求解一维少数载流子扩散方程,对反射式GaSb光电阴极表面光电压谱理论公式进行了研究。利用MOCVD外延生长掺杂结构不同、吸收层......
通过求解一维少数载流子扩散方程,对反射式GaSb光电阴极表面光电压谱理论公式进行了研究。利用MOCVD外延生长掺杂结构不同、吸收层......
【摘要】 加强政府会计改革是实现我国财政科学化、精细化管理的需求。国际上的政府会计准则不仅是推动我国政府会计发展的外部动......
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶......
采用分子柬外延技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs（8ML）／GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管．用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝......
利用等离子体增强原子层沉积系统,以逐层刻蚀方式对GaSb进行氮(N)钝化处理,研究了钝化过程中刻蚀周期对GaSb钝化效果的影响。研究......
利用等离子体增强原子层沉积系统,使用氮等离子体对Te掺杂GaSb的表面进行刻蚀,改善样品的发光特性.在室温下（300K）,发光强度提高了4......
采用液封直拉（LEC）法进行了生长GaSb单晶的实验研究,对比了等摩尔比的（LiCl＋KCl）和氧化硼（B2O3）两种液封剂作用下的生长控制效果。通过模......
本文分析了GaSb表面态形成的原因,以及具有这种高表面态密度的表面性质对GaSb材料器件的影响,探索了降低GaSb表面态密度的方法,主......
采用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值......
系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga（V/III）比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生......
以GaSb与AlSb为代表的6.1 （A|°）锑化物半导体材料及其构成的超晶格等低维结构在中长波红外探测领域有着重要的应用前景,锑化物外延......
GaSb/GaAs薄膜及InAs/GaSb超晶格等GaSb基材料作为重要的光电功能材料在中远红外探测等领域展现出了极大的应用前景。本文主要研究......
学位
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
用分子束外延（MBE）法在GaAs（100）衬底上生长GaSb薄膜，得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件。为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度，采......
利用分子束外延方法（MBE）在GaAs（001）衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、原子力显微镜（AFM）、Hall效应（HallEffec......
通过对国际公共部门会计准则、美国联邦政府会计准则和美国州政府会计准则在制定方法、内容和路径等方面的研究后发现:三者的概念......
锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势,是2~4μm波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来,国内外在锑化物大功率半导......
