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报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术.对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对器件特性的影响进行了研究和优化.根据优化结果,制作出了性能优良的高速双极晶体管.
高速双极晶体管工艺条件的优化研究
【摘 要】
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报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术.对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对
【机 构】
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中国科学院
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2005年2期
其他文献
在SiGe HBT设计中,采用Al-TiN-Ti多层金属系统,可减小基极电阻,提高器件的频率和功率特性(fmax).但是,本文的研究表明,如果忽略了发射极电阻的减小和TiN、Ti有较小的热导率,