【摘 要】
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We develop a picosecond widely tunable laser in a deep-ultraviolet region from 175 nm to 210 nm,generated by two stages of frequency doubling of a 80-MHz mode-l
【机 构】
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Research Center for Laser Physics and Technology,Key Laboratory of Functional Crystal and Laser Tech
【出 处】
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Chinese Physics B
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We develop a picosecond widely tunable laser in a deep-ultraviolet region from 175 nm to 210 nm,generated by two stages of frequency doubling of a 80-MHz mode-locked picosecond Ti:sapphire laser.A β-BaB2O4 walk-off compensation configuration and a KBe2BO3F2 prism-coupled device are adopted for the generation of second harmonic and fourth harmonics,respectively.The highest power is 3.72 mW at 193 nm,and the fluctuation at 2.85 mW in 130 min is less than ±2%.
We develop a picosecond widely tunable laser in a deep-ultraviolet region from 175 nm to 210 nm, generated by two stages of frequency doubling of a 80-MHz mode-locked picosecond Ti: sapphire laser. A β-BaB2O4 walk-off compensation configuration and a KBe2BO3F2 prism-coupled device are both for the generation of second harmonic and fourth harmonics, respectively. The highest power is 3.72 mW at 193 nm, and the fluctuation at 2.85 mW in 130 min is less than ± 2%.
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