锡(Ⅱ)在壳聚糖-多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为及其测定

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制备了壳聚糖(CTS)-多壁碳纳米管(MWCNT)修饰玻碳(GCE)电极,利用差分脉冲溶出伏安法研究了锡(Ⅱ)在该电极上的电化学行为,探讨了电极反应机理。在优化测定条件的基础上,提出了一种测定痕量锡(Ⅱ)的新方法。在1.0mol/L的盐酸溶液中,于-1 000mV电位处锡(Ⅱ)被富集在修饰电极表面,在-1 000~0.00mV电位范围内,以800mV/s的扫描速率,锡(Ⅱ)在-630mV电位处产生一灵敏的溶出峰,峰电流与锡(Ⅱ)的浓度在4.2×10-8~1.3×10-5 mol/L范围
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