【摘 要】
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<正> 光激发瞬态电流谱(OTCS或PITS)已被广泛用于半绝缘半导体材料中的深能级研究,但仍存在一些待解决的问题。本文分析了Martin等提出的陷阱类型判断方法中可能存在的不确定
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,吉林大学电子科学系
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<正> 光激发瞬态电流谱(OTCS或PITS)已被广泛用于半绝缘半导体材料中的深能级研究,但仍存在一些待解决的问题。本文分析了Martin等提出的陷阱类型判断方法中可能存在的不确定性,提出用零偏压光激发瞬态电流谱(ZBOTCS)中峰的正、负来判断陷阱的类型,并对正峰和负峰的成因进行了讨论。实验中所用的样品是GaAs:Cr,电极为烧结(?)电极或半透金膜,光源为He-Ne激光器或经单色仪获得的单色光,信号由Boxcar采样收集。更多还原
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