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T(d,n)4He反应单能中子源广泛应用于14 MeV中子的各种物理实验.采用伴随粒子法测量中子注量率,用金硅面垒探测器测量α粒子,用1 μm厚Al箔屏蔽散射的d束,经过各种条件下的调节,系统可很好地直接在能谱上分辨各种粒子,从而获得较高精度的中子注量率.
伴随粒子法测量T（d，n）^4He中子源注量率中的本底处理
【摘 要】
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T(d,n)4He反应单能中子源广泛应用于14 MeV中子的各种物理实验.采用伴随粒子法测量中子注量率,用金硅面垒探测器测量α粒子,用1 μm厚Al箔屏蔽散射的d束,经过各种条件下的调
【机 构】
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中国原子能科学研究院
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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2005年2期
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