【摘 要】
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采用无锡华润上华（CSMC）0．5μm标准CMOS工艺，设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在P型衬底上进行n^＋掺杂，与P衬底形成两个相对的n^＋P结，其中一个结
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院,天津工业大学信息与通信工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目（61036002）资助项目
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采用无锡华润上华（CSMC）0．5μm标准CMOS工艺，设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在P型衬底上进行n^＋掺杂，与P衬底形成两个相对的n^＋P结，其中一个结正向偏置，发出峰值波长在1100nm附近的红外光；另一个结同样正偏，作为注入结对发光进行调制。测试结果显示：第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率，在lOmA偏置电流、3V调制电压下，可获得1nW的光功率，与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低，该器件可与目前丰流的CMOS工艺共电源单芯片集成，在光电集
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