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在P型GaAs梯形凸台衬底上,利用一次液相外延技术,研制出内条形半导体激光锁相列阵.在直流工作条件下,单面最大输出功率超过136mW,平行于结平面方向远场半角宽度2.1°,器件最高激射温度超过80℃.
梯形凸台衬底内条形半导体激光锁相列阵
【摘 要】
：
在P型GaAs梯形凸台衬底上,利用一次液相外延技术,研制出内条形半导体激光锁相列阵.在直流工作条件下,单面最大输出功率超过136mW,平行于结平面方向远场半角宽度2.1°,器
【机 构】
：
天津大学电子工程系,天津光纤信息技术开发公司天津300072,天津300072,天津300020
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
1992年2期
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