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分析了非晶硅薄膜晶体管的开关特性，提出了通断电流和电阻、组成膜厚度、沟道宽长比以及开口率的设计要求和参数取值，讨论了高显示性能和高成品率a—Si TFT结构设计的最新进展。
高像质非晶硅薄膜晶体管结构参数的设计
【摘 要】
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分析了非晶硅薄膜晶体管的开关特性，提出了通断电流和电阻、组成膜厚度、沟道宽长比以及开口率的设计要求和参数取值，讨论了高显示性能和高成品率a—Si TFT结构设计的最新进展
【机 构】
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温州师范学院物理与电子信息学院
【出 处】
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温州师范学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2004年2期
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