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分析了硅ＣＶＤ外延的机理模型，综合性优化了工艺技术，使多项参数获得显著提高。
提高硅CVD外延参数的新技术研究
【摘 要】
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分析了硅ＣＶＤ外延的机理模型，综合性优化了工艺技术，使多项参数获得显著提高。
【机 构】
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河北工学院电子系半导体技术研究室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1995年1期
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