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通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。
注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟
【摘 要】
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通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公
【机 构】
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杭州大学电子工程系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1996年3期
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