基于切片分析的CMOS组合电路贝叶斯动态功耗模型

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为改善周期精确级功耗分析的准确度和速度问题,使用多维特征参数建立贝叶斯推理的动态功耗模型.基于功耗分布与电路内部节点状态的分析,发现仅使用端口信息作为参数的不足.定义了门单元级数的计算和对应切片的概念,提出使用切片分析的技术提取电路内部关键层的翻转密度作为参数,与端口信息共同参与贝叶斯推理.基于ISCAS85基准电路的实验结果表明,该方法使原始模型的误差降低21.9%,均方差降低25.0%,同时保持了相对现有门级功耗分析700倍的加速比.
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