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与标准金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,由于具有较低的导通电阻(Rdson)、栅极电荷(Qg)以及超小的体积,增强型GaNFET可以实现更高的效率和功率密度,但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。LM5113驱动集成电路化解了这些挑战,使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaNFET的优势。