【摘 要】
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常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H 薄膜进行低能量高剂量的C^＋注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X射线光电子能谱（XPS）及 X射线光电子衍射（XRD）等
【机 构】
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中国科学院,中国科学技术大学,中国科学院
【基金项目】
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中国科学院院长基金资助项目（936）
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常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H 薄膜进行低能量高剂量的C^＋注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X射线光电子能谱（XPS）及 X射线光电子衍射（XRD）等实验结果表明,当退火温度由800 ℃升高到1 200 ℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构.低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱.随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应
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