【摘 要】
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为了获得高品质的带有Si3N4薄膜三层（玻璃—硅—玻璃）的阳极键合结构,对阳极键合的相关工艺参数进行了研究;设计搭建了实验平台并采用点阴极,以实时观察键合界面是否达到同形质
【机 构】
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厦门大学物理与机电工程学院,厦门大学萨本栋微米纳米技术研究院
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为了获得高品质的带有Si3N4薄膜三层（玻璃—硅—玻璃）的阳极键合结构,对阳极键合的相关工艺参数进行了研究;设计搭建了实验平台并采用点阴极,以实时观察键合界面是否达到同形质的黑色从而判断阳极键合质量,对键合后的样品进行拉力测试,研究表明：当采用键合温度为400℃,电压为1200 V,压力为450 Pa,可获得键合面积大于90%的带有Si3N4薄膜的三层阳极键合结构。
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