【摘 要】
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一、前言 1981年我们承担了ZnO压电微晶薄膜的研究工作。当时,曾利用了常规的射频二极溅射装置进行研制,虽然获得了具有择优取向的ZnO薄膜,但却存在很多问题。如溅射速率低,
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一、前言 1981年我们承担了ZnO压电微晶薄膜的研究工作。当时,曾利用了常规的射频二极溅射装置进行研制,虽然获得了具有择优取向的ZnO薄膜,但却存在很多问题。如溅射速率低,择优取向的区域小,膜层厚度均匀性差,透明度差等。这是因为二极溅射时,
I. Preface In 1981, we undertook the research work of ZnO piezoelectric microcrystalline thin film. At that time, the use of a conventional RF diode sputtering device was developed. Although a ZnO thin film with a preferred orientation was obtained, there were many problems. Such as the sputtering rate is low, the preferred orientation of small areas, the film thickness uniformity is poor, poor transparency. This is because when the diode is sputtered,
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