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本文利用Silvaco软件对Ga N共振隧穿二极管(Ga N RTD)进行仿真,重点考虑了界面陷阱密度对Ga N RTD量子阱性能及负阻特性的影响。结果显示,当密度大于5×1010 cm-2时,器件的负阻特性几乎消失;当密度在5×106 cm-2至5×109 cm-2时,器件负阻特性会随着测量次数的增加而退化。同时结合Hspice,对由Ga N RTD构成的THz振荡器进行仿真,首次得到了陷阱密度对振荡器输出功率和RF转化效率交流特性影响的定量结果。