【摘 要】
：
<正>NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表
论文部分内容阅读
<正>NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优
其他文献
我们之所以开辟“今日之星”这个栏目,是为了让读者了解那些他们经常用到其产品,但对其全貌又不十分清楚的世界著名公司。通过我们的介绍,使客户对该公司的历史沿革、经营策
安全微控制器AT90SC320288RCT具有288KB EEPROM，320KB用户ROM和8KB RAM。满足Common Criteria EAL5+和Visa Level3要求，具有真随机数据发生器、唯一的芯片ID、存储器编密码、存
前面的几讲中我们已详细的介绍了DSP的系统方案设计、DSP软硬件设计等内容,本讲的主要内容为:当硬件设计完成,电路板已从生产厂家拿回来后我们需要做的系统调试和文档建设.
该器件可在48V和12V的双车载电池系统之间有效传输每相大于500W的电力。高度集成的LM5170-Q1模拟控制器采用创新的平均电流模式控制方法，克服了当今元件数量多、全数字控制方
可与外部N沟道功率MOSFET器件一同使用的全新三相无刷直流（BLDC）马达控制器AMT49413，它集成了高性价比三相马达驱动系统设计所需的大部分电路，具有高达50V的最大供电电压。
党的十七大报告对当代党员标准提出了新的要求,同时指出要＂健全让党员经常受教育、永葆先进性长效机制＂,《中共中央国务院关于进一步加强和改进大学生思想政治教育的意见》（中央
移植法律时务必按照法律移植的规律要求行事,注意是否符合国情,吸取他国在法律制度发展方面的经验教训,不可盲目的追求法律先进化。注意本国与他国在经济、文化、社会等方面
简要描述了印制电路板的仿真过程,分析仿真对于设计高质量、高精度PCB的重要意义,并在场景产生器的PCB板上使用仿真工具对关键信号(时钟信号)进行信号完整性和EMC分析,以及并