单元密度相关论文
位于美国加州Sunnyvale的Philips半导体公司是皇家Philips电子公司的一个分部,它所推出的第三代TrenchMOS（深槽MOS）工艺技术,可......
NEC电子宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD),使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK......
中芯国际集成电路制造有限公司于1月21日宣布发布三套自主设计的65nm标准单元库的初始版本。该单元库包括一套高性能的超高速(VHS)......
8月12日,中新社消息,最新一期《科学》(Science)杂志刊登了由复旦大学微电子学院研究团队研发的世界第一个半浮栅晶体管SFGT研究论......
用MOS管作为负载电阻的缺点是,要获得低的维持功耗,必须是一个很高的电阻,而这就要求器件面积很大。在动态存储器里通过取消负载......
最近几年期间,LSI 双极型存储器的领域,已经蓬勃开展起来。最显著的发展是集成密度的提高。1969年已报导,单元密度静态存储器为74......
据美国RCA公司报导,该公司研制出了一种先进的MOS工艺,这种工艺使六角形单元紧密地组合在一块芯片上.采用此工艺已经批量生产了性......
文中试验了薄壁高孔隙度载体在一系列试验条件下的特性,比较了400/6、600/4、600/3和900/2不同载体单元在发动机台架稳态和起燃时......
Siemens公司开发的第二代绝缘栅双极晶体管(IGBT)可提供较高的单元密度。这种BUP 213型1,200V IGBT的集电极和发射极之间的最大饱......
富士通实验室和富士通有限公司报道,他们利用一种位相转移型液晶,已联合研制出一种单元密度为500万象素的投影型液晶显示器(LCD)......
降低天线付瓣电平是天线设计的一个重要问题,对于大型相控阵天线,通常采用等间距密度抽样阵以降低天线付瓣,国外资料上介绍的设计......
<正>NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一......
标准单元布局是超大规模集成电路自动化设计的一个关键阶段.针对三维布局问题,提出一种面向标准单元的密度驱动划分方法.该方法将......
大型复杂焊接结构件的焊接过程三维数值模拟因为计算量大而难以进行。采用有限元热弹塑性分析方法对平板对接接头进行数值模拟,研......
传统电力数据分流方法在复杂的双链接无线网络环境下,容易导致关键电力数据的丢失,为此从电力用户的视角出发,提出基于用户分类的......
30V表面贴装功率晶体管采用STripFET VI DeepGATE制造工艺，大大提高单元密度，新产品具有出色的导通电阻。首批产品包括STL150N3LLH6......
本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态......
Rice大学研究人员正在着手研究一类存储单元密度至少为闪存两倍的石墨烯片状存储器。石墨烯（Graphene）是由没有卷成纳米管的纯炭原子......
在全面回顾泰安市水蚀野外调查实践工作的基础上，对贯穿普查工作的培训、野外调查、组织管理等方面的实践成效和存在的问题进行了深......
基于商用分析软件MARC,建立了内部受静压力的两层圆形钢筒有限元模型,研究了不同接触分析方法对计算精度的影响规律。结果表明:两......
研究了不同有限元计算方法对轴对称物体计算精度影响的问题,从理论上对比分析了平面应力、轴对称、三维立体分析的异同。此外,分别......
NUMERICAL SIMULATION OF EFFECTS OF WALL THICKNESS AND CELL DENSITY ON THE THREE-WAY CATALYTIC CONVER
The transient symmetric mathematical model is established, and the effects of the wall thickness and cell density on the......
在多载荷作用下,为使船舶连续体结构的拓扑算子与工况应力条件保持统一变化趋势,提出多工况应力下的新型船舶连续体结构拓扑优化方......
从3个力学计算的经典模型出发,分别运用ANSYS程序中的不同单元类型和不同的单元划分密度,比较了它们的计算精度,结合有限元数值解......
