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制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响,此外掺杂离子和氧离子的电子轨道杂化也会影响材料的剩余极化.
B位掺杂Bi4Ti3O12的研究
【摘 要】
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制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半
【机 构】
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南京大学固体微结构国家重点实验室南京大学固体微结构国家重点实验室南京
【出 处】
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四川大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2005年S1期
【基金项目】
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国家自然科学基金(90207027);江苏省自然科学学基金(BK2004084和BK2002410)
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