PECVD法制备的SiOxNyHz薄膜的直流电导特性研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：PhilippsWang

【摘要】

：

本文研究了在低温（430℃）下用PECVD法淀积的SiOxNyHz薄膜的直流电导特性。实验证实这种薄膜即使在x接近1时仍具有极低的电导率(8×10<su

【作者】

：

刘嘉荷

【机构】

：

四川仪表六厂630700重庆

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1991年5期

【关键词】

：

SiONH薄膜制造 PECVD法电导特性

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本文研究了在低温（430℃）下用PECVD法淀积的SiOxNyHz薄膜的直流电导特性。实验证实这种薄膜即使在x接近1时仍具有极低的电导率(8×10-17Ω-1·cm-1)在室温弱场强下其导电机理符合Mott模型。当

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