【摘 要】
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为了满足电子与电气系统中较高反压快恢复二极管的应用需求,提出了一种硅沟槽P型结势垒肖特基复合二极管(TPJBS)新结构。对该TPJBS的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真试
【机 构】
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杭州电子科技大学电子信息学院,上海华力微电子有限公司
【出 处】
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杭州电子科技大学学报(自然科学版)
【基金项目】
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浙江智慧城市区域协作中心开放基金资助项目;浙江省科技计划资助项目(2009C31004)
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为了满足电子与电气系统中较高反压快恢复二极管的应用需求,提出了一种硅沟槽P型结势垒肖特基复合二极管(TPJBS)新结构。对该TPJBS的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真试验、测试与优化,结果表明,与传统肖特基快恢复二极管(SBD)相比,经过优化的TPJBS器件的通态电流、导通电阻、通态压降等特性均有明显改善。其中,其反向泄漏电流密度降低了5~7个数量级,击穿电压则提高1倍多,更适用于需要较高反压快速恢复二极管的电子与电气系统的应用。为了验证该TPJBS的可制造性,采用半导体器件与工艺仿真软件TCAD对该TPJBS进行虚拟制造,结果表明,在目前的超薄片功率半导体工艺条件下,经过优化的TPJBS器件具有一定的可制造性。
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