基于GaAs-0.25μm L波段高效率功率放大器设计

来源 :桂林电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chengm1

【摘要】

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针对功率放大器在宽频带范围内存在效率低、增益平坦度陡峭而导致导航定位系统能量利用率过低的问题,基于海威华芯0.25μm GaAs pHEMT工艺,利用负载牵引技术和LRC增益均衡结

【作者】

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谢仕锋李海鸥李跃李陈成张法碧陈永和傅

【机构】

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桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室; 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室; 中国科学院纳米器件与应用重点实验室; 深圳飞骧科技有限公司;

【出处】

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桂林电子科技大学学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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GaAs赝高电子迁移率晶体管 MMIC 开关模式负载牵引功率附加效率

【基金项目】

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国家自然科学基金(61474031,61764001);广西自然科学基金(2016GXNSFDA380021);广西精密导航技术与应用重点实验室基金(PF17052x,DH201701);桂林市科技开发项目(20160216-1);桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2016YJCX15,2018YJCXB15,2018YJCX25);深圳市科技创新委员会基金项目(JSGG2016060810

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针对功率放大器在宽频带范围内存在效率低、增益平坦度陡峭而导致导航定位系统能量利用率过低的问题,基于海威华芯0.25μm GaAs pHEMT工艺,利用负载牵引技术和LRC增益均衡结构,设计了一款高效率、平坦化高增益的单片微波集成(MMIC)功率放大器芯片。结果表明:在1475～1675 MHz工作频带内,功率放大器的功率附加效率为55%～62.3%,增益平坦度为±0.29 dB,同时其功率增益和输出功率分别达到32.65 dB和33.5 dBm。

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