【摘 要】
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利用水热合成与低温磷化法,通过改变原料与水热温度进行形貌控制,分别制备出磷化钴(CoP)纳米片与纳米花形貌的材料。结果表明,CoP纳米片与纳米花的最佳制备温度均为120℃。实
【基金项目】
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国家自然科学基金(11874013)
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利用水热合成与低温磷化法,通过改变原料与水热温度进行形貌控制,分别制备出磷化钴(CoP)纳米片与纳米花形貌的材料。结果表明,CoP纳米片与纳米花的最佳制备温度均为120℃。实验发现,磷化钴形貌对其电化学特性有着显著影响。对纳米片与纳米花形貌的磷化钴样品进行超级电容性能测试发现,在电流密度为1 A/g时测得的比电容分别为453.2 F/g与584.4 F/g。纳米花形貌的CoP不仅具有更高的比电容,其倍率稳定性也更加优异于纳米片形貌的CoP。在电流密度增加到20 A/g时,纳米花形貌的CoP的比电容仍能保留
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