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期刊论文
IGBT特性的中子辐照效应
IGBT特性的中子辐照效应
来源 :电力电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:squarestone
【摘 要】
:
简述了中子辐照射IGBT特性的影响;给出了器件在中子辐射注入剂量高达10^13n/cm^2时的实验结果,实验发现,随着中子注入剂量的增加,开关缩短,阈值电压漂移。对研究的注入剂量范围,所观察到的中子效应
【作 者】
:
袁寿财
【机 构】
:
西安电力电子技术研究所
【出 处】
:
电力电子技术
【发表日期】
:
1997年2期
【关键词】
:
中子辐照
双极晶体管
IGBT
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简述了中子辐照射IGBT特性的影响;给出了器件在中子辐射注入剂量高达10^13n/cm^2时的实验结果,实验发现,随着中子注入剂量的增加,开关缩短,阈值电压漂移。对研究的注入剂量范围,所观察到的中子效应是因IGBT少子寿命的减少造成的,而不是因有效掺杂浓度的变化引起的。
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