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简述了中子辐照射ＩＧＢＴ特性的影响；给出了器件在中子辐射注入剂量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果，实验发现，随着中子注入剂量的增加，开关缩短，阈值电压漂移。对研究的注入剂量范围，所观察到的中子效应是因ＩＧＢＴ少子寿命的减少造成的，而不是因有效掺杂浓度的变化引起的。
IGBT特性的中子辐照效应
【摘 要】
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简述了中子辐照射ＩＧＢＴ特性的影响；给出了器件在中子辐射注入剂量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果，实验发现，随着中子注入剂量的增加，开关缩短，阈值电压漂移。对研究的注入剂量范围，所观察到的中子效应
【机 构】
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西安电力电子技术研究所
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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1997年2期
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