【摘 要】
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为了优化垂直腔半导体光放大器(VCSOA)在不同应用中的性能,以及用通用计算方法获得准确的端面反射率,考虑到器件内部光场分布特点,采用角频谱理论和传输矩阵的方法,取得了器
【机 构】
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西南交通大学信息科学与技术学院,重庆电子工程职业学院电子与物联网学院
【基金项目】
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重庆市教委科学技术研究资助项目(KJ1402907)
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为了优化垂直腔半导体光放大器(VCSOA)在不同应用中的性能,以及用通用计算方法获得准确的端面反射率,考虑到器件内部光场分布特点,采用角频谱理论和传输矩阵的方法,取得了器件中分布布喇格反射器(DBR)等效反射率与光束半值谱宽的数据,进行了理论分析和实验验证。结果表明,等效反射率随着结构周期增加而变大,但是当周期大于25时基本不再变化;与只考虑正入射情况相比,修正后的DBR等效反射率小了2%~4%;等效反射率随着半值谱宽θFWHM增大而减小。该研究为准确计算膜堆层数对DBR等效反射率的影响提供理论指导,优化
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