铌酸钾钠无铅压电纳米棒阵列的自供电紫外敏感特性研究

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采用水热合成技术生长铌酸钾钠(KNN)纳米棒阵列,研究KNN纳米棒阵列的压电响应、光吸收特性和紫外光辐照下的压电发电性能.结果表明,在190℃的水热反应下,可在[100]取向的钛酸锶单晶衬底上生长出沿正交相[110]取向的KNN纳米棒阵列.单根KNN纳米棒的径向压电常数约为56pm/V.此外,KNN纳米棒阵列对360nm以下的紫外光具有较强吸收,且吸收峰位于245nm处.将纳米棒阵列进行封装,可构成垂直结构的压电发电器件.在作用力为8N、频率为3Hz的垂直敲击作用下,纳米棒阵列在黑暗环境中可产生峰峰值为8
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