【摘 要】
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采用高分子辅助沉积法制备掺杂不同钐(Sm)含量的SmxNd1-xNiO3外延薄膜(钐掺杂量x=0.5,0.55,0.6)。X射线衍射(特征θ-2θ扫描、摇摆曲线和φ-scan)和扫描电子显微镜的测试结果表明,制备的薄膜结晶性和外延性良好,与衬底的(001)取向保持一致。电阻率-温度曲线表明制备的外延薄膜均表现出金属绝缘体转变现象。随着Sm掺杂量的提高,金属绝缘体转变温度逐渐升高;当;x=0.55时,外延薄膜的转变温度在室温附近。并且高分子辅
【机 构】
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安徽建筑大学数理学院,合肥国轩高科动力能源有限公司工程研究总院,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心
【基金项目】
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Natural Science Foundation of Anhui Jianzhu University(2019QDZ63)。
论文部分内容阅读
采用高分子辅助沉积法制备掺杂不同钐(Sm)含量的SmxNd1-xNiO3外延薄膜(钐掺杂量x=0.5,0.55,0.6)。X射线衍射(特征θ-2θ扫描、摇摆曲线和φ-scan)和扫描电子显微镜的测试结果表明,制备的薄膜结晶性和外延性良好,与衬底的(001)取向保持一致。电阻率-温度曲线表明制备的外延薄膜均表现出金属绝缘体转变现象。随着Sm掺杂量的提高,金属绝缘体转变温度逐渐升高;当;x=0.55时,外延薄膜的转变温度在室温附近。并且高分子辅
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