【摘 要】
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文章采用0．6μmN阱CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比、低噪声的带隙基准电压源。在传统带隙基准电路结构的基础上，采用添加新的电压支路，在环路反馈网络中直接引进噪声的理念，提高
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文章采用0．6μmN阱CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比、低噪声的带隙基准电压源。在传统带隙基准电路结构的基础上，采用添加新的电压支路，在环路反馈网络中直接引进噪声的理念，提高了电源抑制比。利用Cadence Spectre工具仿真，结果表明，电路工作电压范围为2．5～5．5V，输出基准电压为1．2V，低频时电源抑制比可达到110dB，在-25～85℃范围内温漂为26×10^-4／℃，在10～1．0×10^5 Hz带宽范围内的RMS电压噪声为43μV，具有高电源抑制比、低输出噪声的特
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