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采用直流磁控反应溅射方法，在Ｓｉ（１１１）基片上成功地沉积了表面粗糙度小、组成均匀、以（１００）面和（００２）面择优取向的Ａ１Ｎ薄膜，研究了溅射气压、溅射功率和靶基距对Ａ１Ｎ薄膜结构及晶面取向的影响。结果表明，溅射气压低，靶基距短，有利于以（００２）面择优取向；相反，溅射气压高，靶基距长，则对（１００）面择优取向有利；溅射功率过高或过低均不利于晶面择优取向。并从Ａ１－Ｎ化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度探讨了Ａ１Ｎ压电薄膜晶面择优取向。