论文部分内容阅读
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半径典模型,研究了三结单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较,具有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。