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在ＭＯＰＣＶＤ－Ｔｉ（ＣＮ）膜的沉积过程中，沉积温度是一个重要工艺参数，当沉积温度低时，虽然沉积速率高但膜的硬度低，而当沉积温度高于一定值后，碳化了的金属有机化合物阻止膜的继续生长，由于ＭＯＰＣＶＤ－Ｔｉ（ＣＮ）膜是由Ｔｉ（ＣＮ）是一些有机化合物碎片组成，膜的硬度也低于用于ＰＣＶＤ法制备的Ｔｉ（ＣＮ）膜，所以用ＭＯＰＣＶＤ法制备的Ｔｉ（ＣＮ）膜只能属于一种类Ｔｉ（ＣＮ）膜。