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通过实验给中子发生器的靶的上方加一抑制电压(负电压),使靶表面发射的二次电子受到抑制,从而使中子管达到更好的工作状态.
中子管靶面二次电子抑制
【摘 要】
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通过实验给中子发生器的靶的上方加一抑制电压(负电压),使靶表面发射的二次电子受到抑制,从而使中子管达到更好的工作状态.
【机 构】
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大连大学物理系
【出 处】
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长安大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2003年2期
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