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报道了一种采用内匹配技术制作的GaAs大功率晶体管。通过管芯的结构设计和工艺优化，进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制；通过内匹配技术对HPFET（highperformanceFET）管芯进行阻抗匹配，实现了器件的大功率输出；通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率。经测试，当器件Vds=10V时，在5．3～5．7GHz频段输出功率P≥47．8dBm（60．3W），功率附加效率PAE≥42．8％，其中在5．5GHz频率点，输出功率达到48dBm（63．1W），附加效率为46．8％