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研究了高频电源中金氧半场效晶体管（MOSFET）的散热设计问题，分析了MOSFET的热性能参数，建立了单个和耦合器件散热的热阻拓扑模型，推导出各接触面的温度公式，由此得到工程中选取散热器的切实依据，并用于实际高频电源中耦合MOSFET的散热处理．同时，采用计算流体动力学分析软件ICEPAK对所选散热器按工况进行仿真验证．结果表明，该热阻拓扑模型可满足工程设计的要求．