金氧半场效晶体管相关论文
伴随功率金氧半场效晶体管（mosfet）电流和工作电压的大幅度增加,以及芯片尺寸的逐渐减小,从而导致器件芯片内部电场也相应增大。这些......
本文研究了国产商用MOSFET在0.01.1、50 rad(Si)/s三种剂量率条件下的电离辐照效应及退火特性.结果表明,由于辐照感生的氧化物电荷......
碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点.近20年来,SiC器件是国内外学术界......
声纳发射机，作为声纳系统中的重要组成部分之一，它的性能优劣和设计好坏对整个水声系统有着极其重要的影响，不同的系统对发射机的要求......
随着高压直流输电的诞生与发展,电力电子技术尤其是各种换流技术也随之进步,人们越来越关注变换器的功率密度与效率等方面的特性。......
为解决激光测距在实际测量中受外部因素而导致结果不准确的问题,设计了一种回波模拟系统对实测结果进行检验。测距系统向回波系统......
研究了高频电源中金氧半场效晶体管（MOSFET）的散热设计问题，分析了MOSFET的热性能参数，建立了单个和耦合器件散热的热阻拓扑模型，推导出......
金氧半场效晶体管（MOSFET）承受着上百安培的电流,如果热量不能及时散去,控制器进行热保护甚至烧坏MOSFET,因此,提高控制器的散热性能......
