精品小西瓜无土基质早熟高效栽培

来源 :农民致富之友 | 被引量 : 0次 | 上传用户:l4992324
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  一、基质的选用和处理
  
   1、基质的选用 应本着材料易得、量大、成本低、缓冲力好的原则选用基质,生产中常用有机和无机混合基质。以下基质可供选用:①草炭 锯末按1:1混合。②草炭 蛭石 锯末按1:1:1混合。③草炭 珍珠岩按3:1或1:1混合。④草炭 沙按1:3混合。⑤炉渣 草炭按3:2混合。⑥炉渣 树皮(堆沤腐烂)按3:2混合。
  2、基质的加工 草滩、炉渣等应在使用前粉碎、过筛,选用粒径1.6毫米的颗粒,再用水冲洗1~2次,以降低pH值。蛭石宜选用3毫米以上颗粒。
  3、基质的消毒 ①用福尔马林消毒:将40%福尔马林稀释50倍液均匀喷湿基质,接着用塑料薄膜覆盖严实,24小时后揭膜,然后风干,2周后即可使用。②蒸气消毒:将基质装入消毒箱或堆成高20~30厘米的堆并盖上防水、防高温的布,在通过70~90℃蒸汽消毒1小时即可。③基质若重复使用,每次都必须进行彻底消毒。
  
  二、栽培技术
  
  1、優良品种的选用 早熟栽培应选用优质、耐弱光、低温生长良好的品种,如早春红玉、小兰、黑美人、特小凤等。
  
  2、无土育苗 无土栽培的小西瓜必须使用无土培育的苗,否则不能控制土传病虫害。无土育苗的基质配方有:①草炭 细炉渣1:1比例混合,每立方米基质中加入消毒鸡粪5千克、0.3千克磷酸二铵、70克硫酸钾,混匀后装入营养钵,育苗时浇入干净清水即可。②草炭 蛭石2:1混合后,每立方米基质中加入配方①中的其它同样量的物质即可。
  3、栽培基质的配方 栽培时可选上述基质中的一种,在每立方米基质中加入消毒鸡粪10千克、磷酸二铵0.5千克、硫酸钾0.5千克,浇水混合湿润并拌均匀后备用。
  4、栽培形式 ①桶式开口袋栽:每袋装基质1 0 ~ 1 5 升, 每袋栽1株。②枕式袋栽:用直径30~35厘米的桶膜,剪成70厘米长,接着封死一头, 每袋装基质20~30升,后再封死另一头,每袋栽2株(定植前在袋的两端开一个直径为10厘米的定植孔)。③在温室或大棚内建内径宽40~50厘米、高15~20厘米,槽距70~80厘米的水泥或砖或木板等有底或土底的槽。铺放基质前槽底及四周应垫铺厚塑膜。④也可用塑料盆(钵)栽培。应注意的是,温室或大棚内其它露地部分定植前也应用塑料薄膜等覆盖住。
  5、定植 定植前的3~5天温室或大棚内最好也用福尔马林(每立方米空间10毫升)密闭熏蒸消毒24小时。基质温度稳定在15℃以上即可定植瓜苗。定植前的瓜苗秧龄太短太长都不好,以30天左右为宜。定植密度一般为2 2 0 0 ~ 2 5 0 0 株/ 亩。搭架栽培为2500~3000株/亩。
  6、田间管理 ①搭架栽培:采用单蔓或双蔓整枝都可。架材可因地制宜地选用竹、木棍等材料。当瓜长到0.5千克时用挂兜托住西瓜吊于架上。瓜秧一般呈“S”形绑在架杆上。②吊蔓栽培:就是用尼龙绳代替架材固定西瓜秧。瓜秧长到10节以上时应吊秧,引蔓向上生长。吊蔓栽培多用双蔓整枝,方法是:株高长至30厘米左右,除主蔓外,只留一侧蔓,其余蔓一律摘除。主蔓结1个瓜,另1侧蔓为营养蔓。也可以采用留3个蔓结2个瓜的整蔓方法。瓜迅速膨大时,应在结瓜节位以上留5~6片叶摘心。③人工授粉:选择第2~3朵雌花,于开花当日的上午7~10时进行人工授粉,可提高坐果率。
  7、肥水管理 ①追肥:一般追肥1~2次,第1次在定植后20天,第2次在幼瓜鸡蛋大小时。施追肥时,每立方米基质每次施入2.5千克消毒鸡粪、0.25千克硫酸钾、0.5千克磷酸二铵。②水分管理:基质栽培小西瓜用管线定时滴灌最好。灌溉用水应清洁无污染,使用自来水或井水都可以(水温必须与使用时的气温相同)。定植前1~2天先将基质浇足水,定植后再适量浇水1次,以后视生长、气温等综合情况来确定是否浇水或用水量。③应注意大棚或温室的温度调节。
  (作者单位:150500 哈尔滨市呼兰区二八镇农业综合服务中心)
其他文献
近年民航空管业务量与日俱增,空管系统协同工作要求越来越高,而传统的信息共享与交换方式因其存在诸多弊端,已无法满足这些要求.本文针对传统信息系统互联存在的问题,介绍了
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统的SiO2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1nm之下,材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战,已不能满足技术发展的要求。高k材料成为代替SiO2
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’#陈川个美食 Back to yield
科学的进步和现代教育理论的发展,促使网络教育快速的发展,满足了信息时代对高等教育发展更高的需求。网络教育无论是在时间上还是空间上,都摆脱了传统教育的束缚,一方面丰富
4宽禁带半导体功率器件的发展背景宽禁带半导体功率器件的发展是在宽禁带半导体材料发展的基础上发展起来的,其迅速发展的主要原因之一是源于美国军方的兴趣,尤其是2002年美