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4宽禁带半导体功率器件的发展背景宽禁带半导体功率器件的发展是在宽禁带半导体材料发展的基础上发展起来的,其迅速发展的主要原因之一是源于美国军方的兴趣,尤其是2002年美国国防先进研究计划局（DARPA）通过并实施了宽禁带半导体技术计划（WBGSTI）,该计划极大地推动了宽禁带半导体技术的发展。该计划主要包括三个阶段：第一阶段（2002～2004年）的目标是解决SiC单晶生产技术和AlGaN/GaN外延层技术问题,实现市场销售SiC基片的直径由50mm增加到75mm,2006年100mmSiC基片实现商品化。