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研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明，退火后，界面层中的SiOx转化为化学当量的SiO2，而且未发现铪基硅酸盐和铪基酸化物。由电学测试提取出等效栅氧厚度为2．5nm，固定电荷密度为-4．5×10^11／cm^2。发现Al2O3阻挡层能有效地阻止Si原子扩散进入HfO2薄膜，进而改善HfO2栅介质膜的界面和电学性能。