栅介质相关论文
氧化物薄膜晶体管（TFT）由于其超低关断电流、较高场效应迁移率、均匀性好等优势而在大面积、透明、柔性及节能显示领域备受关注。目......
一氧化氮退火是目前业内界面钝化的主流工艺，而钝化效果与一氧化氮退火的条件密切相关，因此选取合适的退火条件提高界面质量显得尤为......
随着晶体管的进一步小型化，由于存在漏电流，传统的SiO2已经无法满足下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅介质要求。为了继续......
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管,并研究了氧分压对其稳定性的影响.氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结......
降低CCD的转移驱动电压摆幅对于减小器件的功耗有着积极的作用。通过对CCD电荷转移过程的原理进行分析,建立了CCD转移驱动电压摆幅......
研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比......
CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅......
第三代半导氮化镓(Ga N)由于其宽带隙、高电子迁移率、高饱和速度、高击穿场强等特点,被视为硅(Si)材料的有力竞争者。氮化镓高电......
学位
半导体工艺水平逐步强大,器件的尺寸逐渐微缩化,Al_2O_3薄膜因为自己本身的高介电常数、高带隙、高透光率得到广泛的研究。其作为......
学位
本文详细地叙述了用 Si2N4/SiO2作栅介质的 P 沟硅栅器件的工艺。这个特殊工艺的许多引人注目的特点包括多晶硅和硅的接触.用玻璃......
期刊
本报告使用量子化学的密度泛函方法(DFT)研究了高介电常数栅介质nfO的原子层淀积的初始反应的反应机理。研究的主要内容有反应前体......
随着半导体技术的不断发展 ,MOSFET (metal oxide semiconductorfieldeffecttransistor)的特征尺寸不断缩小 ,栅介质等效氧化物厚......
在65和45nm节点,随着新材料和新结构的出现,对薄膜计量的要求变得越来越复杂,可是计量预算更紧张。仅仅在关键制程中监测厚度和折......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠......
实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加．采用N2O氮化则可完全消除这些......
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采......
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的......
用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而......
研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明，退火后，界面层......
采用氧化硅制造晶体管栅介质已有40余年，随着氧化硅被加工得越来越薄，晶体管性能也稳步提高。然而，从90hm到65nm，再到45nm，氧化硅栅介质......
以射频磁控溅射为主要工艺，制备了TiO2／SiO2和TiO2／SiOxNy两种层叠结构栅介质。对C-V特性和漏电特性的测试表明，SiO2和SiOxNy等界面层......
随着微电子技术的飞速发展，按照摩尔定律发展的要求，SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈。寻求代替SiO2的其它新一......
集成电路的快速发展得益于其电路基本单元——场效应管MOSFET电学性能的不断提升。MOSFET器件的关键性能指标是驱动电流Id,驱动电......
随着MOSFET尺寸的不断减小，栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能，另一方面可用于栅介质质量表征，因此......
研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性，实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力，它在FN应力下的氧化物陷阱......
在室温下，采用射频磁控溅射法在P型Si（111）衬底上制备了HfSiON高k栅介质薄膜。用X射线光电子能谱（XPS）分析了HfSiON薄膜的成分，用掠入射X......
在前期工作基础上，研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积......
P^+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化，在多晶硅栅内注入N^+的工艺可抑制硼扩散，制备出栅介质厚度为4.6nm......
介绍了一种制作栅介质的新工艺——原位水汽生成工艺．基于Deal-Grove模型提出了原位水汽生成过程中活性氧原子和硅一硅键反应形成硅......
氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最......
本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后，热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较，结果表明，LPCVD......
微电子工业的发展，对集成电路密度和性能提出了越来越高的要求，栅介质层的厚度也随之变得越来越薄。由于栅介质氧化层的直接隧穿而引......
在过去二十多年里,Si基元器件的大小遵循Moore定律按比例的持续减小。对于下一代金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）器件,原来的栅极......
SOI技术和高κ介质材料的研究是微电子领域发展的前沿课题，本文根据国家973项目，国家自然科学基金等国家任务的需要，开展了体Si和SOI......
论文首先对GaN基MOS-HEMT器件的制作工艺方法进行了研究和优化,在器件表面钝化工艺中,提出了采用先低后高的起辉功率,提高了Si3N4......
本文报导了近年来发展较为突出的功率场效应器件VDMOSFET的辐射效应以及国内外VDMOSFET的抗辐照特性,最后给出了该器件的基本设计......
氮氧化物在MOS器件高k栅介质研究中得到了广泛的重视。本文从材料、工艺、性能等角度综述了目前氮氧化物的研究进展,对氮化改性应......
<正>随着我国科技事业的大力发展,尤其是航空航天、高铁和高压输电等尖端领域,非常需要性能更好的功率器件作为研究和发展的支撑。......
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可......
随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2栅介质将无法满足Metaloxide-semiconductor field-effect t......
随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统SiO2栅介质减薄到1 nm以下时会导致栅极漏电流增大、器件可靠性下降等诸多问题,已无法满足......
