【摘 要】
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利用ＭＩＳ结构研究了长，中，短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其工艺条件的关系，结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面化学参数依赖于界面预处理条件在适当的工艺条件下，平带电压几乎为０，固定
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,华南师范大学物理系
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利用ＭＩＳ结构研究了长，中，短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其工艺条件的关系，结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面化学参数依赖于界面预处理条件在适当的工艺条件下，平带电压几乎为０，固定电荷密度为－４×１０＾１０ｃｍ＾－２，慢态密度为５．１×１０＾１０ｃｍ＾－２，界面态密度为２．７×１０＾－１１ｅＶ＾－１．ｃｍ＾－２。
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